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      背刺三星 臺積電繞過2nm:直奔1.4nm去了

      2022-05-19 10:21 快科技

      導讀:臺積電似乎不打算糊弄了,甚至要繞過2nm,直奔1.4mm。

      臺積電已經多次明確,3nm將在下半年規模投產。

      不過,臺積電的3nm依然延續的是FinFET(鰭式場效應)晶體管結構,而非三星那套難度更高的GAA晶體管。然而,臺積電明顯道行更深,知道當前制程節點命名混亂,誰的良率高顯然更能占得先機。

      而接下來,臺積電似乎不打算糊弄了,甚至要繞過2nm,直奔1.4mm。

      BK報道稱,臺積電3nm研發團隊將在6月份全面轉投1.4nm節點的開發工作。

      對手三星在去年的代工會議上曾預期,2025年量產2nm,沒想到又一次被臺積電“背刺”了。

      至于同樣雄心勃勃的Intel,則打算2024年下半年生產1.8nm工藝產品。一場關乎摩爾定律榮耀的制程“軍備競賽”,再度拉開序幕了。


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